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Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFET
Q3-Class
IXFB100N50Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
500V
100A
49m Ω
250ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
PLUS264 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
500
± 30
± 40
V
V
V
G
D
S
Tab
I D25
I DM
I A
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
100
300
100
5
50
A
A
A
J
V/ns
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
1560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
W
° C
° C
° C
°C
°C
N/lb.
g
Low Intrinsic Gate Resistance
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
DC-DC Converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500
V
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
3.5
6.5
V
Temperature and Lighting Controls
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200 nA
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
2.5 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
49 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100309(03/11)
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